VGF單晶爐
VGF單晶爐主要用于砷化鎵、銻化鎵、鍺等化合 PAN S 物半導(dǎo)體材料的單晶生長(zhǎng)。
VTM碲鋅鎘單晶體生長(zhǎng)爐
碲鋅鎘單晶爐是依據(jù)我公司自主研發(fā)的VTM工藝方法所設(shè)計(jì)的新型單晶工藝設(shè)備, 設(shè)備由加熱系統(tǒng)、運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)支撐機(jī)構(gòu)、電控系統(tǒng)四部分組成，適用碲鋅鎘、碲化鎘、銻化鎵等多種化合物半導(dǎo)材料的單晶生長(zhǎng)。
多晶合成爐
多晶合成爐主要用于GaAs、CdTe等多種化合物材料的多晶合成工藝。
氧化物單晶生長(zhǎng)爐
可用于“第四代”半導(dǎo)體單晶材料，氧化鎵Ga2O3等氧化物材料晶圓的生長(zhǎng)制造。
真空鍍碳爐
臥式管狀加熱爐主要應(yīng)用在半導(dǎo)體晶體材料的生長(zhǎng)工藝過(guò)程中，對(duì)石英坩堝內(nèi)壁鍍碳處理，能夠有效阻隔高溫溶體與石英坩堝的反應(yīng)，有利于完整、高質(zhì)量單晶體的生產(chǎn)。
電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)
電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)可蒸鍍金屬薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜。如在半導(dǎo)體或融石英、微晶玻璃基片上蒸鍍MgF2等介質(zhì)薄膜，MgF2蒸發(fā)厚度為10-150nm，在10^4Pa高真空時(shí)鍍鋁的厚度為5-3000nm，膜層結(jié)合力良好，表面呈銀白色。蒸發(fā)速率穩(wěn)定。具有一定的小批量生產(chǎn)能力。設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定、可靠，能夠連續(xù)24小時(shí)工作。該設(shè)備所有零部件是全新產(chǎn)品，技術(shù)成熟，操作直觀簡(jiǎn)便，設(shè)備易于維護(hù)和維修。
